適用於對重摻雜碳化矽（SiC）表面沉積的過渡金屬進行退火，形成良好的歐姆接觸。
| 可加工品圓尺寸 | 4inch、6inch、8inch |
| 薄片退火 | 支持 |
| 光斑整形 | 平頂光 |
| 光斑均勻性 | >95% |
| 能量穩定性 | ≤1% |
| 比電阻接觸率 | ≤5×10^(-5)Ω.cm² |
| 表面溫度 | Amnealedgurtece>1500℃.NOn=ann日ledsurlaco<100℃ |
| 腔體含氧量 | N2/Ar： 99.99%，<100ppm@25s |
| 運動平台精度 | 直線度：±1μm 重複定位精度：±1μm |
| 品圓傳輸 | Automatic transferring (compatible to wafer or wafer/w carrier) |
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