適用於半導體和光伏領域，針對於光伏領域TOPCon工藝電池，LPCVD設備可一站式完成隧穿氧化層/Poly層的製備。熱氧和澱積Poly層兩個工藝合二為一能夠大幅度提高產能，同時兼容i/d -Poly生長工藝。
項目 | 技術指標 |
成膜種類 | SiOx, i/d-Poly-Si |
裝片尺寸 | 垂直裝片方式：2880片/批(182mm),2200片/批(210mm) |
膜厚均勻性 | Si0x均勻性：厚度1-3nm可調，精度0.1nm,用拋光片測試SiOx厚度； |
UP-TIME | ≥95% |
工作溫度範圍 | 400-750℃ |
溫度控制 | 6點控溫，內外雙模控制 |
升溫方式 | 自動斜率升溫及快速恆溫功能 |
降溫方式 | 最新專利技術，6溫區分段控制主動降溫爐體 |
恆溫區精度及長度 | ±1℃/2800mm(550-700℃) |
單點溫度穩定度 | 1±℃/6H |
升溫時間 | RT→750℃≤45min |
降溫速率 | ≥5℃/min |
溫度控制 | 雙模精確控制 |
系統極限真空度 | <3Pa |
系統漏氣率 | 停泵關閥後壓力升率<2Pa/min |
壓力控制方式 | 快速調整全自動閉環 |
工藝控制式 | 工藝過程全自動控制，多重安全連鎖報警 |
人機交互界面 | LCD顯示、觸摸操作、工藝編輯、在線監控、權限管理、班組管理、組網功能 |
MES/CCRM | 具有 |
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